尼康计划于2024年1月推出其最新款ArF 193纳米浸没式光刻机"NSR-S636E"，该产品将提升生产效率和套刻精度。这款曝光机采用了增强型iAS设计，具有高精度测量、圆翘曲和畸变校正功能，并且重叠精度（MMO）超过2.1纳米。
这款新光刻机的分辨率为小于38纳米，镜头孔径为1.35，曝光面积为26x33毫米。与当前型号相比，它的整体生产效率可提高10-15％，每小时可生产280片晶圆，停机时间更短。在保持较高生产效率的前提下，新光刻机还能提供更高性能，在先进逻辑和内存、CMOS图像传感器、3D闪存等3D半导体制造中表现出色。
据悉，新光刻机采用成熟技术——“i-line”光源，并结合相关零件和技术的成熟化，价格相对竞品将便宜约20-30％。然而目前尚不清楚这款新型号能制造多少纳米级别的芯片。
过去，日本尼康、佳能和荷兰阿斯麦（ASML）曾是光刻机领域的三巨头，但随着科技发展及未跟上阿斯麦的193纳米浸没式光刻技术而逐渐没落。为了生存，尼康、佳能开始更加专注于难度较低、价格更低的成熟工艺光刻设备。
尽管如此，尼康和佳能并非一无是处。例如，佳能研发了无需使用EUV即可制造5纳米芯片的纳米压印技术(NIL)。
